A review on thermal oxidation of Si wafers.

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Study on Thermal Oxidation of Si Nanowires

In this paper we reported the results on the low-temperature thermal oxidation of Si nanowires. Various polygon-shaped Si nanowires with linewidths between 100 and 300 nm were fabricated on Si/Si1ÿxGex=Si heterostructure substrates by using lithography, reactive ion etching, and subsequent selective chemical etching. We find that oxidized Si nanowires following 750 and 775 C wet oxidation will ...

متن کامل

the impact of peer review on efl reviewers writing proficiency

امروزه تصحیح همکلاسی در کلاسهای نگارش یکی از اجزاء لاینفک کلاسهای دانش آموز محور است. تاثیرات مفید تصحیح همکلاسی بر زبان آموزان، معلمان را متقاعد کرده است که علیرغم صرف زمان، انرژی و توان بسیار، از این شیوه ی آموزشی در کلاسهای آموزش نگارش بهره بگیرند. تحقیق حاضر بر آن است تا با مقایسه دو گروه از یادگیرندگان زبان انگلیسی، تاثیر تصحیح همکلاسی را بر توانایی نوشتاری آنها نشان دهد. 122 خانم زبان آمو...

15 صفحه اول

On-Demand Fabrication of Si/SiO2 Nanowire Arrays by Nanosphere Lithography and Subsequent Thermal Oxidation

We demonstrate the fabrication of the large-area arrays of vertically aligned Si/SiO2 nanowires with full tunability of the geometry of the single nanowires by the metal-assisted chemical etching technique and the following thermal oxidation process. To fabricate the geometry controllable Si/SiO2 nanowire (NW) arrays, two critical issues relating with the size control of polystyrene reduction a...

متن کامل

EFFECT OF Si ANTIOXIDANT ON THE RATE OF OXIDATION OF CARBON IN MgO- C REFRACTORY

Progressive conversion/shrinking core (PC-SC) models of constant-size cylinders were exploited to interpret the decarburization reactions of MgO-C-Si bricks heated up under blown air. Chemical adsorption/solid (or pore) diffusion mechanisms governed the reaction rate. With 5% silicon, chemical adsorption vanished at 1000 and 1100°C. The oxidation rate lowered then with temperature. This was due...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Bulletin of the Japan Institute of Metals

سال: 1988

ISSN: 0021-4426,1884-5835

DOI: 10.2320/materia1962.27.266